メモリ階層（キャッシュ, DRAM, NVRAM）

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FeRAM（エフイーラム）英語表記: FeRAM (Ferroelectric RAM) 概要 FeRAM（Ferroelectric RAM、強誘電体メモリ）は、従来の半導体メモリの常識を覆す「新素材・新方式」を用い […]

PCM (Phase Change Memory)（ピーシーエム）英語表記: PCM (Phase Change Memory) 概要 PCM（相変化メモリ）は、熱を加えることで物質の状態（相）を変化させ、その電気抵抗 […]

ReRAM（アールイーラム）英語表記: ReRAM (Resistive RAM) 概要 ReRAM（抵抗変化型ランダムアクセスメモリ）は、電気抵抗の変化を利用してデータを記憶する、革新的な次世代の不揮発性メモリ技術で […]

永続メモリ英語表記: Persistent Memory 概要永続メモリ（Persistent Memory、PM）は、従来のメモリ（DRAM）が持つ高速性という利点と、ストレージ（SSDやHDD）が持つ電源を切って […]

SCM（エスシーエム）英語表記: SCM (Storage Class Memory) 概要 SCM（ストレージクラスメモリ）は、従来のコンピュータシステムにおけるメモリ階層のボトルネックを解消するために開発された、革 […]

MRAM（エムラム）英語表記: MRAM (Magnetic Random Access Memory) 概要 MRAM（磁気抵抗ランダムアクセスメモリ）は、従来のメモリが電荷を利用するのに対し、磁気の向きを利用してデ […]

3D XPoint（スリーディークロスポイント）英語表記: 3D XPoint 概要 3D XPointは、インテル社とマイクロン社によって共同開発された、革新的な不揮発性メモリ（NVRAM）技術です。この技術は、現在 […]

NAND フラッシュ（ナンドフラッシュ）英語表記: NAND Flash 概要 NAND フラッシュは、電源供給がなくてもデータを保持し続けることができる「不揮発性メモリ（NVRAM）」の代表的な技術です。私たちが普段 […]

ページウォーク英語表記: Page Walk 概要ページウォークとは、仮想メモリシステムにおいて、CPUが要求した仮想アドレスを対応する物理アドレスに変換する際、その変換情報がTLB（Translation Look […]

Huge Page（ヒュージページ）英語表記: Huge Page 概要 Huge Page（ヒュージページ）は、仮想記憶システムにおいて、通常使用される小さなページサイズ（一般的に4KB）よりも遥かに大きな単位（例え […]