半導体技術（プロセスルール, FPGA, ASIC）

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イオン注入英語表記: Ion Implantation 概要イオン注入は、半導体集積回路（IC）を製造する前工程において、ウェハの特定領域に意図的に不純物原子（ドーパント）を打ち込み、半導体の電気的な性質を精密に制御 […]

フォトリソグラフィ英語表記: Photolithography 概要フォトリソグラフィは、半導体製造プロセスにおける「前工程」の中核をなす技術であり、LSI（大規模集積回路）の設計図である微細な回路パターンを、シリコ […]

リーク電流英語表記: Leakage Current 概要リーク電流とは、半導体デバイス、特に集積回路（IC）内のトランジスタが「オフ」状態、つまり電流を遮断している理想的な状態にあるにもかかわらず、わずかに流れてし […]

モビリティ英語表記: Mobility 概要半導体技術の文脈における「モビリティ」（キャリア移動度）とは、半導体材料の内部で電荷キャリア（電子または正孔）が電界の影響を受けてどれだけ容易に、そして速く移動できるかを示 […]

バンドギャップ英語表記: Band Gap 概要バンドギャップとは、半導体や絶縁体といった固体材料において、電子が存在できないエネルギーの範囲（禁制帯）を指す非常に重要な概念です。これは、電子が物質内で電流として流れ […]

GAAFET（ジーエーエーフェット）英語表記: GAAFET 概要 GAAFET（Gate-All-Around FET）は、現在の主流であるFinFET（フィンフェット）に代わる、次世代の半導体トランジスタの素子構造 […]

FinFET（フィンフェット）英語表記: FinFET 概要 FinFET（フィンフェット）は、現代の高性能半導体チップで利用されるトランジスタの革新的な構造であり、素子構造の進化における画期的な技術です。従来の平面的 […]

MOSFET（モスフェット）英語表記: MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 概要 MOSFETは、現代の集積回路（IC）の設計において、 […]

GaN（ガン）英語表記: GaN (Gallium Nitride) 概要 GaN（窒化ガリウム）は、従来の半導体の基本材料であるシリコン（Si）とは一線を画す「ワイドバンドギャップ半導体」の一種です。これは、電子が移 […]

SiC（エスアイシー）英語表記: SiC (Silicon Carbide) 概要 SiC（エスアイシー）は、ケイ素（Si）と炭素（C）を1対1で組み合わせた化合物半導体であり、半導体技術を根底から支える「基本材料」の […]