半導体製造プロセス

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ダイシング英語表記: Dicing 概要ダイシングとは、半導体製造プロセスの「後工程」において、集積回路が多数形成されたシリコンウェハを、個々の半導体チップ（ダイ）に物理的に切り分ける作業です。前工程でプロセスルール […]

ウエハテスト英語表記: Wafer Test 概要ウエハテストは、半導体製造プロセスにおける後工程の初期段階で行われる、非常に重要な品質管理のステップです。シリコンウェハ上に大量に形成された個々のLSIチップ（ダイ） […]

CMP（シーエムピー）英語表記: CMP (Chemical Mechanical Polishing) 概要 CMP（化学機械研磨）は、半導体集積回路（LSI）を製造する「半導体製造プロセス」において、ウェハ表面をナ […]

3nm プロセス（サンナノメートルプロセス）英語表記: 3nm Process 概要 3nm プロセスとは、半導体集積回路（LSI）を製造する際のプロセスルールにおける、現時点で最先端に近い世代を示す技術指標です。この […]

5nm プロセス（ゴナノメートルプロセス）英語表記: 5nm Process 概要 5nmプロセスとは、半導体の集積回路（IC）を製造する際の設計基準、すなわち「プロセスルール」の一つを指します。この技術は、トランジス […]

7nm プロセス（ナナノメートルプロセス）英語表記: 7nm Process 概要「7nm プロセス」とは、半導体の集積回路を製造する際の「プロセスルール」の一つであり、LSIチップ上のトランジスタの最小加工寸法が7 […]

CVD/ALD（シーブイディー/エーエルディー）英語表記: CVD/ALD 概要 CVD（Chemical Vapor Deposition：化学気相成長）とALD（Atomic Layer Deposition：原子 […]

イオン注入英語表記: Ion Implantation 概要イオン注入は、半導体集積回路（IC）を製造する前工程において、ウェハの特定領域に意図的に不純物原子（ドーパント）を打ち込み、半導体の電気的な性質を精密に制御 […]

フォトリソグラフィ英語表記: Photolithography 概要フォトリソグラフィは、半導体製造プロセスにおける「前工程」の中核をなす技術であり、LSI（大規模集積回路）の設計図である微細な回路パターンを、シリコ […]