集積回路と製造技術

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バーンイン英語表記: Burn-in 概要バーンインとは、集積回路（IC）や電子部品を市場に出荷する前に、意図的に高い温度や電圧などの過酷な環境下で動作させることで、潜在的な初期不良を早期に検出・除去するための信頼性 […]

DFT (Design for Test)（DFT: ディーエフティー）英語表記: DFT (Design for Test) 概要 DFT（Design for Test、テスト容易化設計）は、集積回路（ICチップ） […]

テストパターン英語表記: Test Pattern 概要テストパターンとは、集積回路（IC）やLSI（大規模集積回路）が設計通りに正しく機能しているか、または製造工程で欠陥が発生していないかを検証するために使用される […]

FinFET（フィンフェット）英語表記: FinFET (Fin Field-Effect Transistor) 概要 FinFET（フィンフェット）とは、従来の平面的なトランジスタ構造（プレーナ型MOSFET）の限 […]

SOI（エスオーアイ）英語表記: SOI (Silicon-on-Insulator) 概要 SOIは、「論理回路とゲート」を構成するトランジスタの性能を飛躍的に向上させるための、革新的な「集積回路と製造技術」の一つで […]

SOI/FinFET 英語表記: SOI/FinFET 概要 SOI/FinFETは、現代の高性能な集積回路（IC）を支えるために不可欠な半導体プロセス技術の総称です。特に、トランジスタの微細化が進み、従来の平面構造（プ […]

プロセスルール英語表記: Process Rule 概要プロセスルールとは、半導体チップの製造において実現可能な、最小の電気的素子（主にトランジスタ）の寸法を示す指標です。これは、ナノメートル（nm）単位で表現される […]

フォトリソグラフィ英語表記: Photolithography 概要フォトリソグラフィは、「半導体プロセス」において、集積回路（IC）の核となる微細な「論理回路」パターンをシリコンウェハ上に正確に形成するために不可欠 […]

VLSI（ブイエルエスアイ）英語表記: VLSI (Very Large-Scale Integration) 概要 VLSIは、「超大規模集積回路」を意味し、集積回路（ICチップ）の集積度を分類する指標の一つです。こ […]

LSI（エルエスアイ）英語表記: LSI (Large Scale Integration) 概要 LSI、すなわち大規模集積回路は、数千個から数十万個のトランジスタや論理ゲートを、わずか数平方ミリメートル程度の単一の […]