主記憶装置（RAM, キャッシュ）

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Write Policy (Write-Back 英語表記: Write Policy (Write-Back 概要ライトバック方式（Write-Back）は、コンピュータの構成要素であるCPUと主記憶装置（RAM）の […]

ミス英語表記: Miss 概要「ミス」（Miss）とは、コンピュータの構成要素の中でも特に主記憶装置と中央処理装置（CPU）の間に位置する高速なキャッシュメモリにおいて、CPUが要求したデータや命令がそのキャッシュ内 […]

MRAM（MRAM: エムラム）英語表記: MRAM (Magnetoresistive Random-Access Memory) 概要 MRAMは、電気ではなく「磁気」の性質を利用してデータを記憶する、革新的な不揮 […]

3D XPoint（MRAM: エムラム）英語表記: 3D XPoint 概要 3D XPointは、インテルとマイクロンが共同開発した革新的な不揮発性メモリ技術です。この技術は、既存のDRAM（揮発性メモリ）とNAN […]

QLC（キューエルシー）英語表記: QLC (Quad-Level Cell) 概要 QLCは、NANDフラッシュメモリのデータ格納方式の一つであり、一つのメモリセルに4ビットの情報を記録できる技術です。これは、コンピ […]

TLC（ティーエルシー）英語表記: TLC (Triple-Level Cell) 概要 TLC（ティーエルシー）は、NAND型フラッシュメモリにおいて、一つのメモリセルに3ビットの情報を記録する技術方式のことです。こ […]

MLC（エムエルシー）英語表記: MLC (Multi-Level Cell) 概要 MLC（Multi-Level Cell、多値セル）とは、NAND型フラッシュメモリにおいて、一つのメモリセルに複数のビット（通常は […]

SLC（エスエルシー）英語表記: SLC (Single-Level Cell) 概要 SLC（エスエルシー）は、NAND型フラッシュメモリにおけるデータ格納方式の一つで、一つのメモリセルに1ビットのデータ（0または1 […]

フラッシュメモリ（SLC, MLC, TLC, QLC）英語表記: Flash Memory 概要フラッシュメモリは、電源供給がなくてもデータを保持し続けることができる、非常に重要な不揮発性メモリの一種です。この特性 […]

NVRAM（エヌブイラム）英語表記: NVRAM (Non-Volatile Random Access Memory) 概要 NVRAM（エヌブイラム）は、「不揮発性ランダムアクセスメモリ」を意味し、コンピュータの構 […]