GaN(ガン)
GaN(ガン) 英語表記: GaN (Gallium Nitride) 概要 GaN(窒化ガリウム)は、従来の半導体の基本材料であるシリコン(Si)とは一線を画す「ワイドバンドギャップ半導体」の一種です。これは、電子が移 […]
GaN(ガン) 英語表記: GaN (Gallium Nitride) 概要 GaN(窒化ガリウム)は、従来の半導体の基本材料であるシリコン(Si)とは一線を画す「ワイドバンドギャップ半導体」の一種です。これは、電子が移 […]
SiC(エスアイシー) 英語表記: SiC (Silicon Carbide) 概要 SiC(エスアイシー)は、ケイ素(Si)と炭素(C)を1対1で組み合わせた化合物半導体であり、半導体技術を根底から支える「基本材料」の […]
シリコン 英語表記: Silicon 概要 シリコン(Si)は、集積回路(IC)やトランジスタといった現代の電子デバイスを支える、最も重要な基本材料です。この元素は、地球上に豊富に存在するケイ素を精製して作られ、特定の条 […]