揮発性と不揮発性メモリ

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MRAM（MRAM: エムラム）英語表記: MRAM (Magnetoresistive Random-Access Memory) 概要 MRAMは、電気ではなく「磁気」の性質を利用してデータを記憶する、革新的な不揮 […]

3D XPoint（MRAM: エムラム）英語表記: 3D XPoint 概要 3D XPointは、インテルとマイクロンが共同開発した革新的な不揮発性メモリ技術です。この技術は、既存のDRAM（揮発性メモリ）とNAN […]

QLC（キューエルシー）英語表記: QLC (Quad-Level Cell) 概要 QLCは、NANDフラッシュメモリのデータ格納方式の一つであり、一つのメモリセルに4ビットの情報を記録できる技術です。これは、コンピ […]

TLC（ティーエルシー）英語表記: TLC (Triple-Level Cell) 概要 TLC（ティーエルシー）は、NAND型フラッシュメモリにおいて、一つのメモリセルに3ビットの情報を記録する技術方式のことです。こ […]

MLC（エムエルシー）英語表記: MLC (Multi-Level Cell) 概要 MLC（Multi-Level Cell、多値セル）とは、NAND型フラッシュメモリにおいて、一つのメモリセルに複数のビット（通常は […]

SLC（エスエルシー）英語表記: SLC (Single-Level Cell) 概要 SLC（エスエルシー）は、NAND型フラッシュメモリにおけるデータ格納方式の一つで、一つのメモリセルに1ビットのデータ（0または1 […]

フラッシュメモリ（SLC, MLC, TLC, QLC）英語表記: Flash Memory 概要フラッシュメモリは、電源供給がなくてもデータを保持し続けることができる、非常に重要な不揮発性メモリの一種です。この特性 […]

NVRAM（エヌブイラム）英語表記: NVRAM (Non-Volatile Random Access Memory) 概要 NVRAM（エヌブイラム）は、「不揮発性ランダムアクセスメモリ」を意味し、コンピュータの構 […]

DRAM（ディーラム）英語表記: DRAM (Dynamic Random-Access Memory) 概要 DRAM（ディーラム）は、現在、パーソナルコンピュータやサーバーの主記憶装置（メインメモリ）として最も広く […]

DRAM vs NVRAM 英語表記: DRAM vs NVRAM 概要 DRAM (Dynamic Random Access Memory) と NVRAM (Non-Volatile Random Access M […]