IT用語集– archive –

5nm プロセス（ゴナノメートルプロセス） 英語表記: 5nm Process 概要 5nmプロセスとは、半導体の集積回路（IC）を製造する際の設計基準、すなわち「プロセスルール」の一つを指します。この技術は、トランジスタの主要な寸法（ゲート長や配線幅）を約5ナ...

7nm プロセス（ナナノメートルプロセス） 英語表記: 7nm Process 概要 「7nm プロセス」とは、半導体の集積回路を製造する際の「プロセスルール」の一つであり、LSIチップ上のトランジスタの最小加工寸法が7ナノメートル（10億分の7メートル）級であること...

CVD/ALD（シーブイディー/エーエルディー） 英語表記: CVD/ALD 概要 CVD（Chemical Vapor Deposition：化学気相成長）とALD（Atomic Layer Deposition：原子層堆積）は、半導体製造プロセスにおける「前工程」で不可欠な、薄膜を形成するための技術です。...

イオン注入 英語表記: Ion Implantation 概要 イオン注入は、半導体集積回路（IC）を製造する前工程において、ウェハの特定領域に意図的に不純物原子（ドーパント）を打ち込み、半導体の電気的な性質を精密に制御するための基幹技術です。このプロセスは、...

フォトリソグラフィ 英語表記: Photolithography 概要 フォトリソグラフィは、半導体製造プロセスにおける「前工程」の中核をなす技術であり、LSI（大規模集積回路）の設計図である微細な回路パターンを、シリコンウェハ上に正確に転写するために使用され...

リーク電流 英語表記: Leakage Current 概要 リーク電流とは、半導体デバイス、特に集積回路（IC）内のトランジスタが「オフ」状態、つまり電流を遮断している理想的な状態にあるにもかかわらず、わずかに流れてしまう、意図しない不要な電流のことを指し...

モビリティ 英語表記: Mobility 概要 半導体技術の文脈における「モビリティ」（キャリア移動度）とは、半導体材料の内部で電荷キャリア（電子または正孔）が電界の影響を受けてどれだけ容易に、そして速く移動できるかを示す物理的な指標です。これは、半...

バンドギャップ 英語表記: Band Gap 概要 バンドギャップとは、半導体や絶縁体といった固体材料において、電子が存在できないエネルギーの範囲（禁制帯）を指す非常に重要な概念です。これは、電子が物質内で電流として流れるために乗り越えなければならな...

GAAFET（ジーエーエーフェット） 英語表記: GAAFET 概要 GAAFET（Gate-All-Around FET）は、現在の主流であるFinFET（フィンフェット）に代わる、次世代の半導体トランジスタの素子構造です。これは、半導体の微細化をさらに推し進める「プロセスルール」...

FinFET（フィンフェット） 英語表記: FinFET 概要 FinFET（フィンフェット）は、現代の高性能半導体チップで利用されるトランジスタの革新的な構造であり、素子構造の進化における画期的な技術です。従来の平面的なトランジスタ構造（プレーナ型）が物理的...