IT用語集– archive –

MRAM（MRAM: エムラム） 英語表記: MRAM (Magnetoresistive Random-Access Memory) 概要 MRAMは、電気ではなく「磁気」の性質を利用してデータを記憶する、革新的な不揮発性メモリです。従来の主記憶装置であるDRAM（揮発性）が持つ高速な読み書き能力と、...

3D XPoint（MRAM: エムラム） 英語表記: 3D XPoint 概要 3D XPointは、インテルとマイクロンが共同開発した革新的な不揮発性メモリ技術です。この技術は、既存のDRAM（揮発性メモリ）とNAND型フラッシュメモリ（低速な不揮発性メモリ）の間に存在する性能...

QLC（キューエルシー） 英語表記: QLC (Quad-Level Cell) 概要 QLCは、NANDフラッシュメモリのデータ格納方式の一つであり、一つのメモリセルに4ビットの情報を記録できる技術です。これは、コンピュータの構成要素における揮発性と不揮発性メモリのうち、...

TLC（ティーエルシー） 英語表記: TLC (Triple-Level Cell) 概要 TLC（ティーエルシー）は、NAND型フラッシュメモリにおいて、一つのメモリセルに3ビットの情報を記録する技術方式のことです。これは、コンピュータの構成要素 → 主記憶装置（RAM, キャッシ...

MLC（エムエルシー） 英語表記: MLC (Multi-Level Cell) 概要 MLC（Multi-Level Cell、多値セル）とは、NAND型フラッシュメモリにおいて、一つのメモリセルに複数のビット（通常は2ビット）の情報を格納する技術のことです。これにより、従来の技術であるS...

SLC（エスエルシー） 英語表記: SLC (Single-Level Cell) 概要 SLC（エスエルシー）は、NAND型フラッシュメモリにおけるデータ格納方式の一つで、一つのメモリセルに1ビットのデータ（0または1）のみを格納する構造を指します。これは、コンピュータの構成...

フラッシュメモリ（SLC, MLC, TLC, QLC） 英語表記: Flash Memory 概要 フラッシュメモリは、電源供給がなくてもデータを保持し続けることができる、非常に重要な不揮発性メモリの一種です。この特性により、コンピュータの構成要素における「揮発性と不揮...

NVRAM（エヌブイラム） 英語表記: NVRAM (Non-Volatile Random Access Memory) 概要 NVRAM（エヌブイラム）は、「不揮発性ランダムアクセスメモリ」を意味し、コンピュータの構成要素における主記憶装置（RAM, キャッシュ）の分類の中で、特に「揮発性と不...

DRAM（ディーラム） 英語表記: DRAM (Dynamic Random-Access Memory) 概要 DRAM（ディーラム）は、現在、パーソナルコンピュータやサーバーの主記憶装置（メインメモリ）として最も広く利用されている半導体メモリです。このメモリは、私たちが現在位置付...

DRAM vs NVRAM 英語表記: DRAM vs NVRAM 概要 DRAM (Dynamic Random Access Memory) と NVRAM (Non-Volatile Random Access Memory) は、コンピュータの構成要素の中でも特に重要な「主記憶装置」のカテゴリに属しますが、その決定的な違いは揮発性（電源...