IT用語集– archive –

NVMe（エヌブイエムイー） 英語表記: NVMe (Non-Volatile Memory Express) 概要 NVMe（Non-Volatile Memory Express）は、主にフラッシュメモリを用いたSSDの性能を最大限に引き出すために開発された、新しい通信プロトコルです。これは、従来のHDD時代に...

M.2 (NGFF)（エムドットツー） 英語表記: M.2 (NGFF) 概要 M.2（エムドットツー）は、主にSSD（Solid State Drive）などのストレージデバイスや無線LANカードといった拡張カードのために設計された、新しい物理的な接続規格、すなわち「フォームファクタ」...

mSATA（エムサタ） 英語表記: mSATA 概要 mSATAは、ストレージデバイスの中でも特に高速なSSD（ソリッドステートドライブ）において、物理的なサイズと形状を規定するフォームファクタの一つです。従来の2.5インチSSDと比較して劇的に小型化されており、Mi...

2.5インチ SSD（ニーテンゴインチエスエスディー） 英語表記: 2.5-inch SSD 概要 2.5インチ SSDは、SSD（Solid State Drive）というストレージ技術を採用しながら、その物理的な形状（フォームファクタ）を、従来のノートパソコンやデスクトップパソコンで...

オーバープロビジョニング 英語表記: Over-provisioning 概要 オーバープロビジョニング（OP）とは、SSD（Solid State Drive）の性能と耐久性を長期にわたって安定させるために、SSDコントローラが内部的に確保する「隠された予備領域」を指します。この領...

ガーベジコレクション 英語表記: Garbage Collection 概要 ガーベジコレクション（Garbage Collection, GC）とは、SSD（Solid State Drive）のコントローラが、ユーザーからの書き込み要求がないアイドル時間などを利用して、NANDフラッシュメモリ内部を整...

ウェアレベリング 英語表記: Wear Leveling 概要 ウェアレベリング（Wear Leveling）は、SSD技術において、データ書き込みが特定の記憶領域（ブロック）に集中するのを防ぎ、SSD全体の寿命を均等に延ばすための極めて重要なコントローラ機能です。NAND型フ...

TLC/QLC（ティーエルシー/キューエルシー） 英語表記: TLC/QLC (Triple/Quad-Level Cell) 概要 TLC（Triple-Level Cell）およびQLC（Quad-Level Cell）は、SSDの主要な構成要素であるNANDフラッシュメモリにおいて、一つのメモリセルにどれだけの情報量（...

MLC（エムエルシー） 英語表記: MLC (Multi-Level Cell) 概要 MLC（Multi-Level Cell）は、NANDフラッシュメモリの基本的な記録単位であるセル一つあたりに、2ビットのデータを格納する技術です。これにより、先行技術であるSLC（Single-Level Cell、1ビッ...

SLC（エスエルシー） 英語表記: SLC (Single-Level Cell) 概要 SLC（Single-Level Cell）は、SSD（ソリッドステートドライブ）の核となる部品であるNANDフラッシュメモリのセル構造技術の一つです。この技術は、一つのメモリセル（最小記憶単位）に対して...