IT用語集– archive –

ウェアレベリング 英語表記: Wear Leveling 概要 ウェアレベリングとは、主にフラッシュメモリを用いた補助記憶装置（SSDやUSBメモリなど）において、特定の記憶領域へのデータの書き込み回数が偏らないように均等化する技術です。フラッシュメモリのセル...

ECC メモリ（ECC: イーシーシー） 英語表記: ECC Memory (Error-Correcting Code Memory) 概要 ECCメモリとは、コンピュータのメインメモリ（主記憶装置）において、データ転送中や保持中に発生した微細なエラー（誤り）を自動的に検出し、さらに訂正する...

RAID レベル（RAID: レイド） 英語表記: RAID Levels 概要 RAID レベルとは、複数の補助記憶装置（ストレージ）であるハードディスクドライブ（HDD）やソリッドステートドライブ（SSD）を仮想的に一つにまとめ、データの信頼性（耐障害性）や処理性能を向...

MRAM（MRAM: エムラム） 英語表記: MRAM (Magnetoresistive Random-Access Memory) 概要 MRAMは、電気ではなく「磁気」の性質を利用してデータを記憶する、革新的な不揮発性メモリです。従来の主記憶装置であるDRAM（揮発性）が持つ高速な読み書き能力と、...

3D XPoint（MRAM: エムラム） 英語表記: 3D XPoint 概要 3D XPointは、インテルとマイクロンが共同開発した革新的な不揮発性メモリ技術です。この技術は、既存のDRAM（揮発性メモリ）とNAND型フラッシュメモリ（低速な不揮発性メモリ）の間に存在する性能...

QLC（キューエルシー） 英語表記: QLC (Quad-Level Cell) 概要 QLCは、NANDフラッシュメモリのデータ格納方式の一つであり、一つのメモリセルに4ビットの情報を記録できる技術です。これは、コンピュータの構成要素における揮発性と不揮発性メモリのうち、...

TLC（ティーエルシー） 英語表記: TLC (Triple-Level Cell) 概要 TLC（ティーエルシー）は、NAND型フラッシュメモリにおいて、一つのメモリセルに3ビットの情報を記録する技術方式のことです。これは、コンピュータの構成要素 → 主記憶装置（RAM, キャッシ...

MLC（エムエルシー） 英語表記: MLC (Multi-Level Cell) 概要 MLC（Multi-Level Cell、多値セル）とは、NAND型フラッシュメモリにおいて、一つのメモリセルに複数のビット（通常は2ビット）の情報を格納する技術のことです。これにより、従来の技術であるS...

SLC（エスエルシー） 英語表記: SLC (Single-Level Cell) 概要 SLC（エスエルシー）は、NAND型フラッシュメモリにおけるデータ格納方式の一つで、一つのメモリセルに1ビットのデータ（0または1）のみを格納する構造を指します。これは、コンピュータの構成...

フラッシュメモリ（SLC, MLC, TLC, QLC） 英語表記: Flash Memory 概要 フラッシュメモリは、電源供給がなくてもデータを保持し続けることができる、非常に重要な不揮発性メモリの一種です。この特性により、コンピュータの構成要素における「揮発性と不揮...