IT用語集– archive –

FinFET（フィンフェット） 英語表記: FinFET (Fin Field-Effect Transistor) 概要 FinFET（フィンフェット）とは、従来の平面的なトランジスタ構造（プレーナ型MOSFET）の限界を突破するために開発された、トランジスタを立体的な「フィン（Fin）」形状で...

SOI（エスオーアイ） 英語表記: SOI (Silicon-on-Insulator) 概要 SOIは、「論理回路とゲート」を構成するトランジスタの性能を飛躍的に向上させるための、革新的な「集積回路と製造技術」の一つである「半導体プロセス」技術です。従来のシリコン基板（バ...

SOI/FinFET 英語表記: SOI/FinFET 概要 SOI/FinFETは、現代の高性能な集積回路（IC）を支えるために不可欠な半導体プロセス技術の総称です。特に、トランジスタの微細化が進み、従来の平面構造（プレーナ型）では性能の維持や電力効率の改善が難しくなった...

プロセスルール 英語表記: Process Rule 概要 プロセスルールとは、半導体チップの製造において実現可能な、最小の電気的素子（主にトランジスタ）の寸法を示す指標です。これは、ナノメートル（nm）単位で表現されることが一般的であり、集積回路の性能と...

フォトリソグラフィ 英語表記: Photolithography 概要 フォトリソグラフィは、「半導体プロセス」において、集積回路（IC）の核となる微細な「論理回路」パターンをシリコンウェハ上に正確に形成するために不可欠な中核技術です。この技術は、光（Photo）...

VLSI（ブイエルエスアイ） 英語表記: VLSI (Very Large-Scale Integration) 概要 VLSIは、「超大規模集積回路」を意味し、集積回路（ICチップ）の集積度を分類する指標の一つです。これは、コンピュータの基本要素である膨大な数の論理回路とゲートを、極...

LSI（エルエスアイ） 英語表記: LSI (Large Scale Integration) 概要 LSI、すなわち大規模集積回路は、数千個から数十万個のトランジスタや論理ゲートを、わずか数平方ミリメートル程度の単一の半導体チップ上に高密度に集積した電子部品です。これは「論...

LSI/VLSI 英語表記: LSI/VLSI 概要 LSI（Large Scale Integration：大規模集積回路）およびVLSI（Very Large Scale Integration：超大規模集積回路）は、半導体チップ上に搭載されているトランジスタや論理ゲートの集積度を示す分類レベルです。これは、「...

MSI（MSI: エムエスアイ） 英語表記: MSI (Medium-Scale Integration) 概要 MSI（中規模集積回路）は、半導体チップ上に比較的中程度の数の電子部品や論理ゲートを集積した回路を指します。これは、論理回路とゲートの設計において、個々の基本ゲートを組...

SSI（SSI: エスエスアイ） 英語表記: SSI (Small-Scale Integration) 概要 SSI（Small-Scale Integration、小規模集積）は、集積回路（IC）における初期の集積レベルを指す用語です。これは「論理回路とゲート」で設計された基本的な機能、例えば数個のNOT...